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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Éditeur :

Springer

Collection : Computational Microelectronics

Paru le : 2011-01-06

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor fil...
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Description du livre

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

À propos

Auteur
Viktor Sverdlov
Éditeur
Springer
Collection
Computational Microelectronics
Parution
2011-01-06
Pages
252 pages
EAN papier
9783709103814

Auteur(s) du livre


Defaut-Illustration Viktor Sverdlov

Caractéristiques détaillées - droits

EAN EPUB
9783709103821
Prix
147,69 €
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
25
Taille du fichier
2836 Ko
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