Electronic States of Narrow-Gap Semiconductors Under Multi-Extreme Conditions

de

Éditeur :

Springer

Collection : Springer Theses

Paru le : 2019-04-04

This book discusses the latest investigations into the electronic structure of narrow-gap semiconductors in extreme conditions, and describes in detail magnetic field and pressure measurements using two high-quality single crystals: black phosphorus (BP) and lead telluride (PbTe). The book presents ...
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À propos

Auteur

Éditeur

Collection

Parution
2019-04-04

Pages
147 pages

EAN papier
9789811371066

Auteur(s) du livre



Caractéristiques détaillées - droits

EAN PDF
9789811371073
Prix
94,94 €
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
14
Taille du fichier
8294 Ko
EAN EPUB
9789811371073
Prix
94,94 €
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
14
Taille du fichier
27638 Ko

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