Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Der inverse Thyristor

Éditeur :

Springer Vieweg

Paru le : 2026-01-13

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, a...
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À propos


Éditeur

Collection
n.c

Parution
2026-01-13

Pages
212 pages

EAN papier
9783658501501

Auteur(s) du livre


Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke

Caractéristiques détaillées - droits

EAN PDF
9783658501518
Prix
66,05 €
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
21
Taille du fichier
17940 Ko
EAN EPUB
9783658501518
Prix
66,05 €
Nombre pages copiables
2
Nombre pages imprimables
21
Taille du fichier
43233 Ko

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