Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

de

Éditeur :

Springer

Collection : Springer Theses

Paru le : 2017-10-24

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique ...
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À propos

Auteur

Éditeur

Collection

Parution
2017-10-24

Pages
168 pages

EAN papier
9789811046117

Auteur(s) du livre



Caractéristiques détaillées - droits

EAN PDF
9789811046124
Prix
94,94 €
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
16
Taille du fichier
9615 Ko
EAN EPUB
9789811046124
Prix
94,94 €
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
16
Taille du fichier
3820 Ko

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