Multi-run Memory Tests for Pattern Sensitive Faults

Éditeur :

Springer

Paru le : 2018-07-06

This book describes efficient techniques for production testing as well as for periodic maintenance testing (specifically in terms of multi-cell faults) in modern semiconductor memory.  The author discusses background selection and address reordering algorithms in multi-run transparent march te...
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À propos


Éditeur

Collection
n.c

Parution
2018-07-06

Pages
135 pages

EAN papier
9783319912035

Auteur(s) du livre


Ireneusz Mrozek received his M.Sc. and Ph.D. degrees in computer science in 1994 and 2004,respectively. Since 1994 he has been employed at the Faculty of Computer Science of Bialystok Technical University (Poland). His main research interests include the area of diagnostic testing of embedded memories. Particularly, he focuses on transparent tests for RAM as well as the application of these in the BIST or BISR schemes. He has also gained industrial experience working as a Senior Software Engineer at Motorola Solutions.

Caractéristiques détaillées - droits

EAN PDF
9783319912042
Prix
52,74 €
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
13
Taille du fichier
2673 Ko
EAN EPUB
9783319912042
Prix
52,74 €
Nombre pages copiables
1
Nombre pages imprimables
13
Taille du fichier
4434 Ko

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