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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Bernard Dieny , Ronald B. Goldfarb , Kyung-Jin Lee
Magnetic random-access memory (MRAM) is poised to replace traditional computer memory based on complementary metal-oxide semiconductors (CMOS). MRAM will surpass all other types of memory devices in terms of nonvolatility, low energy dissipation, fast switching speed,...

Editeur : Wiley-IEEE Press
Parution : 2016-11-14

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